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2N5307_D74Z相关型号
  • EFC2K101NUZTDG

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 12V 15A(Ta) 1.4W(Ta) 表面贴装型 6-WLCSP(1.79x1.18)

  • MC10E111FNG

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:9 800 MHz 28-LCC(J 形引线)

  • FDMD8630

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 38A(Ta),167A(Tc) 2.3W(Ta),43W(Tc) 表面贴装型 8-Power 5x6

  • NTMFD5C462NLT1G

    MOSFET - 阵列

  • FDMS8095AC

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 150V 6.2A,1A 2.3W 表面贴装型 8-MLP(5x6),Power56

  • NVMFD5C446NWFT1G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 24A(Ta),127A(Tc) 3.2W(Ta),89W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

  • FDMS7700S

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 12A,22A 1W 表面贴装型 Power56

  • NTTFD022N10C

    MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 6A(Ta),24A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面贴装型 12-WQFN(3.3x3.3)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 2N5307_D74Z

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 40 V 1.2 A 625 mW 通孔 TO-92-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,2N5307_D74Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装带盒(TB)
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1.4V @ 200μA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)2000 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值625 mW
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商器件封装TO-92-3

其它信息

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