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NSBC143ZPDXV6T5相关型号
  • KAI-16000-FXA-JD-B1

    CCD 图像传感器 4872H x 3248V 7.4μm x 7.4μm 40-PGA(44.45x45.34)

  • KAI-11002-FBA-CD-B2

    CCD 图像传感器 4008H x 2672V 9μm x 9μm 40-Cerdip

  • FQB7P20TM

    表面贴装型 P 通道 200 V 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FDMS2572

    表面贴装型 N 通道 150 V 4.5A(Ta),27A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-MLP(5x6),Power56

  • FDMS8027S

    表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) 8-PQFN(5x6)

  • FDB86102LZ

    表面贴装型 N 通道 100 V 8.3A(Ta),30A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK(TO-263)

  • NTTFS5C454NLTAG

    表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta),85A(Tc) 3.2W(Ta),55W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

  • FDWS86368-F085

    表面贴装型 N 通道 80 V 80A(Tc) 214W(Tj) Power56

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NSBC143ZPDXV6T5

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563
  • PDF下载:
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 卷带(TR)
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁-
  • 功率 - 最大值500mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装SOT-563
  • NSBC14

其它信息

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