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NSVTB60BDW1T1G相关型号

  • 74ACT374MSA

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74ACTQ18823MTD

    触发器 2 元件 D 型 9 位 正边沿 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74ACT823MTCX

    触发器 1 元件 D 型 9 位 正边沿 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74AC377SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74AC273SJX

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NTMJS0D7N03CGTWG

    表面贴装型 N 通道 30 V 59A（Ta），410A（Tc） 4W（Ta），188W（Tc） 8-LFPAK

  • NTMTSC4D2N10GTXG

    表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 21A（Ta），178A（Tc） 3.9W（Ta），267W（Tc） 8-TDFNW（8.3x8.4）

  • NTMFS5C404NLT3G

    表面贴装型 N 通道 40 V 52A（Ta），370A（Tc） 3.2W（Ta），167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NSVTB60BDW1T1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 NPN 预偏压式，1 PNP 50V 150mA 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3000

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型1 NPN 预偏压式，1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）150mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)22 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500nA
  • 频率 - 跃迁-
  • 功率 - 最大值250mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

其它信息

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