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NB3N1900KMNTXG相关型号

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  • FDG6304P.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷

  • NTMD3P03R2G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

  • NTR4170NT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

  • NTJD1155LT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88

  • MMBF170LT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 500mA SOT-23

  • MMBFJ201....

    场效应管, JFET, N沟道, -40V, SOT-23

  • NTH4L020N090SC1.

    碳化硅场效应管, MOSFET 900V TO247-4L 20MΩ

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NB3N1900KMNTXG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IC 133.33MHz 1 72-VFQFN Exposed Pad
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1000

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 卷带（TR）
  • PLL带旁路
  • 输入时钟
  • 输出HCSL
  • 电路数1
  • 比率 - 输入:输出1：19
  • 差分 - 输入:输出是/是
  • 频率 - 最大值133.33MHz
  • 分频器/倍频器无/无
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度-10°C ~ 70°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳72-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装72-QFN（10x10）
  • NB3N1900

其它信息

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