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MUN5211DW1T1G相关型号

  • MC74ACT540MELG

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

  • MC74AC244MELG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output SOEIAJ-20

  • M74VHC1GT126DF1G

    缓冲器，非反向 1 元件 1 位每元件 三态 Output SC-88A（SC-70-5/SOT-353）

  • 74VCXH245MNR2G

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-QFN（2.5x4.5）

  • 74F244SCX

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • NC7SP126P5X

    缓冲器，非反向 1 元件 1 位每元件 三态 Output SC-70-5

  • MC74HCT125ADTG

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • 74VHCT540AMTCX

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MUN5211DW1T1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：77540

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）35 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 300μA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500nA
  • 频率 - 跃迁-
  • 功率 - 最大值250mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

其它信息

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