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KSD526YTU相关型号
  • 74VHC112MTCX

    触发器 2 元件 JK 型 1 位 负边沿 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

  • MC14027BDR2G

    触发器 2 元件 JK 型 1 位 正边沿 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • NLX1G74MUTCG

    触发器 1 元件 D 型 1 位 正边沿 8-UFQFN

  • NTMFS4C822NAT1G

    表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta),136A(Tc) 3.1W(Ta),64W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVTYS010N04CTWG

    表面贴装型 N 通道 40 V 12A(Ta),38A(Tc) 3.1W(Ta),32W(Tc) 8-LFPAK

  • NVMYS029N08LHTWG

    表面贴装型 N 通道 80 V 7A(Ta),22A(Tc) 3.5W(Ta),33W(Tc) LFPAK4(5x6)

  • NTTFS8D1N08HTAG

    表面贴装型 N 通道 80 V 14A(Ta),61A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

  • NC7SV74K8X

    触发器 1 元件 D 型 1 位 正边沿 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • KSD526YTU

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 4 A 8MHz 30 W 通孔 TO-220-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)80 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)30μA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大值30 W
  • 频率 - 跃迁8MHz
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3

其它信息

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