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NSVBCP68T1G相关型号

  • FGH75T65SQDNL4

    IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 375 W 通孔 TO-247-4L

  • FGH40T120SQDNL4

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 160 A 454 W 通孔 TO-247-4L

  • FGD3245G2-F085C

    IGBT 450 V 23 A 150 W 表面贴装型 D-PAK（TO-252）

  • FGHL50T65SQ

    IGBT 650 V 100 A 268 W 通孔 TO-247-3

  • MC33470DWG

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 1 输出 20-SOIC

  • MC33470DW

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 1 输出 20-SOIC

  • CS5165AGDWR16G

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 2 输出 16-SOIC

  • CS5165AGDW16G

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 2 输出 16-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NSVBCP68T1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 20 V 1 A 60MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1397

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详细参数

  • onsemi
  • Automotive, AEC-Q101
  • 卷带（TR）
  • 在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）1 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）20 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）500mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）10μA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）85 @ 500mA，1V
  • 功率 - 最大值1.5 W
  • 频率 - 跃迁60MHz
  • 工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装SOT-223（TO-261）

其它信息

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