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NSS60200SMTTBG相关型号

  • NDB7050L

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB7050

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB6060

    表面贴装型 N 通道 60 V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB603AL

    表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NLV74VHC126DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC125DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC126DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74HCT365ADR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 6 位每元件 三态 Output 16-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NSS60200SMTTBG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 2 A 155MHz 1.8 W 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3000

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 卷带（TR）
  • 在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）2 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）60 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）450mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）150 @ 100mA，2V
  • 功率 - 最大值1.8 W
  • 频率 - 跃迁155MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-WDFN（2x2）
  • NSS60200

其它信息

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