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BC856BWT1G相关型号

  • NGTB30N60IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 250 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120LWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 560 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHSWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 260 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB25N120FLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NCP81258MNTBG

    半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）

  • FDB2614

    表面贴装型 N 通道 200 V 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NGTB15N60R2FG

    IGBT 600 V 24 A 54 W 通孔 TO-220F-3FS

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BC856BWT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 65 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：21646

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）65 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）15nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）220 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 频率 - 跃迁100MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70，SOT-323
  • 供应商器件封装SC-70-3（SOT323）

其它信息

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