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MJ802G相关型号

  • MMBTA42LT3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • BC857CWT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

  • MJ21196G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W 通孔 TO-204（TO-3）

  • MJ802G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 90 V 30 A 2MHz 200 W 通孔 TO-204（TO-3）

  • NJL3281DG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W 通孔 TO-264

  • MJH11022G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 250 V 15 A 3MHz 150 W 通孔 TO-247-3

  • BC817-25LT3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • BC856BWT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 65 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MJ802G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 90 V 30 A 2MHz 200 W 通孔 TO-204（TO-3）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：301

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）30 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）90 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）800mV @ 750mA，7.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）1mA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）25 @ 7.5A，2V
  • 功率 - 最大值200 W
  • 频率 - 跃迁2MHz
  • 工作温度-65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-204AA，TO-3
  • 供应商器件封装TO-204（TO-3）

其它信息

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