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2SC4134S-TL-E相关型号

  • NSV60200LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 2 A 100MHz 460 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • SBCP56-10T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • BSP52T3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 1 A 800 mW 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • NSVPZTA92T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 300 V 500 mA 50MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • 30C02MH-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 700 mA 540MHz 600 mW 表面贴装型 3-MCPH

  • BD13716STU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1.5 A 1.25 W 通孔 TO-126-3

  • 2SC5706-TL-H

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 5 A 400MHz 800 mW 表面贴装型 TP-FA

  • MJD44H11-1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W 通孔 I-PAK

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SC4134S-TL-E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW 表面贴装型 TP-FA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：507

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）1 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）100 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）400mV @ 40mA，400mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）140 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值800 mW
  • 频率 - 跃迁120MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装TP-FA

其它信息

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