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MJD253-1G相关型号

  • MC100LVEP210FARG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：5 3 GHz 32-LQFP

  • MC100EP210SMNR4G

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：5 1 GHz 32-VFQFN 裸露焊盘

  • NXH010P90MNF1PTG

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共源 900V 154A（Tc） 328W（Tj） 底座安装

  • NVTYS025P04M8LTWG

    表面贴装型 P 通道 40 V 9.4A（Ta），32A（Tc） 3.8W（Ta），44.1W（Tc） 8-LFPAK

  • MC74VHC74DTR2G

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74LCX74MTCX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • FDU5N50NZTU

    通孔 N 通道 500 V 4A（Tc） 62W（Tc） DPAK3（IPAK）

  • MTD3055VL

    表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Tc） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252AA

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MJD253-1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W 通孔 I-PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：419

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • -
  • 管件
  • 在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）4 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）100 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）600mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）40 @ 200mA，1V
  • 功率 - 最大值1.4 W
  • 频率 - 跃迁40MHz
  • 工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
  • 供应商器件封装I-PAK
  • MJD253

其它信息

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