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2SA2039-TL-E相关型号

  • NTMTS0D7N06CLTXG

    表面贴装型 N 通道 60 V 62.2A（Ta），477A（Tc） 5W（Ta），294.6W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • NTMTS0D7N06CTXG

    表面贴装型 N 通道 60 V 60.5A（Ta），464A（Tc） 5W（Ta），294.6W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • NVHL082N65S3F

    通孔 N 通道 650 V 40A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3

  • NTHL082N65S3HF

    通孔 N 通道 650 V 40A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3

  • FCH47N60-F133

    通孔 N 通道 600 V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3

  • FDMA1029PZ

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.1A 700mW 表面贴装型 7-SOIC

  • FW4604-TL-2W

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A，4.5A 1.8W 表面贴装型 8-SOIC

  • NTUD3174NZT5G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 220mA（Ta） 125mW（Ta） 表面贴装型 SOT-963

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SA2039-TL-E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 5 A 360MHz 800 mW 表面贴装型 TP-FA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：66346

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）5 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）430mV @ 100mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）1μA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）200 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大值800 mW
  • 频率 - 跃迁360MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装TP-FA

其它信息

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