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H11D1VM相关型号
  • NB3V1108CDTR2G

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:8 250 MHz 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

  • MC100EP210SFAG

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:5 1 GHz 32-LQFP

  • MC100EP210SMNG

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:5 1 GHz 32-VFQFN 裸露焊盘

  • NB6L572MMNG

    时钟 扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器 IC 4:2 6 GHz 32-VFQFN 裸露焊盘

  • NB7V33MMNHTBG

    时钟 分配器 IC 1:1 10 GHz 16-VFQFN 裸露焊盘

  • FDG6322C

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 25V 220mA,410mA 300mW 表面贴装型 SC-88(SC-70-6)

  • MC10EP11DG

    时钟 扇出缓冲器(分配) IC 1:2 3 GHz 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • MC100LVEL14DWG

    时钟 扇出缓冲器(分配),多路复用器 IC 2:5 1 GHz 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • H11D1VM

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:光隔离器 有基极的晶体管 输出 4170Vrms 1 通道 6-DIP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:317

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离4170Vrms
  • 电流传输比(最小值)20% @ 10mA
  • 电流传输比(最大值)-
  • 接通 / 关断时间(典型值)5μs,5μs
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 输入类型DC
  • 输出类型有基极的晶体管
  • 电压 - 输出(最大值)300V
  • 电流 - 输出/通道100mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)1.15V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)80 mA
  • Vce 饱和压降(最大)400mV
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳6-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商器件封装6-DIP

其它信息

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