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NCP81071CDR2G相关型号

  • 2SD1835S-AA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 750 mW 通孔 3-NP

  • FGB3040G2-F085C

    IGBT 400 V 41 A 150 W 表面贴装型 D2PAK-3（TO-263-3）

  • FGPF50N30TTU

    IGBT 沟道 300 V 46.8 W 通孔 TO-220F-3

  • 2SC5265LS-1HX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • NGTD13T65F2WP

    IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具

  • DTC124XM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • DTA114TM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • NCP5386BMNR2G

    - 控制器，Intel VR10，VR11，AMD CPU 稳压器 IC 2 输出 32-QFN（5x5）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP81071CDR2G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：低端 栅极驱动器 IC 反相，非反相 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2366

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 驱动配置低端
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH1.2V，1.8V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）5A，5A
  • 输入类型反相，非反相
  • 上升/下降时间（典型值）8ns，8ns
  • 工作温度-40°C ~ 140°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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