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NCP5111DR2G相关型号

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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP5111DR2G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5392

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型同步
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH0.8V，2.3V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）250mA，500mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）600 V
  • 上升/下降时间（典型值）85ns，35ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

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