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FOD8163TR2相关型号

  • 2SD1835S-AA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 750 mW 通孔 3-NP

  • FGB3040G2-F085C

    IGBT 400 V 41 A 150 W 表面贴装型 D2PAK-3（TO-263-3）

  • FGPF50N30TTU

    IGBT 沟道 300 V 46.8 W 通孔 TO-220F-3

  • 2SC5265LS-1HX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • NGTD13T65F2WP

    IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具

  • DTC124XM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • DTA114TM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • NCP5386BMNR2G

    - 控制器，Intel VR10，VR11，AMD CPU 稳压器 IC 2 输出 32-QFN（5x5）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FOD8163TR2

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：光隔离器 - 逻辑输出 10Mbps 开集，肖特基箝位 5000Vrms 1 通道 20kV/μs CMTI 6-SOP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：949

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 通道数1
  • 输入 - 侧 1/侧 21/0
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）20kV/μs
  • 输入类型DC
  • 输出类型开集，肖特基箝位
  • 电流 - 输出/通道50 mA
  • 数据速率10Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）90ns，80ns
  • 上升/下降时间（典型值）20ns，10ns
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）1.45V
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）25mA
  • 电压 - 供电3V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽）
  • 供应商器件封装6-SOP

其它信息

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