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QRE1113GR.相关型号
  • FQB6N60TM

    表面贴装型 N 通道 600 V 6.2A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQI32N20CTU

    通孔 N 通道 200 V 28A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQP32N12V2

    通孔 N 通道 120 V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3

  • HUFA75823D3ST

    表面贴装型 N 通道 150 V 14A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA

  • FQI19N20TU

    通孔 N 通道 200 V 19.4A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQAF33N10

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • FQAF33N10L

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • 74VHC541N

    缓冲器,非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • QRE1113GR.

  • 制造商:ONSEMI
  • 批号:最新的
  • 描述:光电耦合器, 光电三极管输出, SMD-4
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 电源电压 直流 最小-
  • 电源电压 直流 最大-
  • 传感器端子-
  • 传感器外壳-
  • 输出配置-
  • 输出电压最小值-
  • 开关速度-
  • 产品范围QRE1113GR

其它信息

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