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IRF530A.相关型号

  • PZTA92

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 300 V 500 mA 50MHz 1 W 表面贴装型 SOT-223-4

  • NSVDTA143EM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • 2SC4487T-AN

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 300 mA 150MHz 1 W 通孔 3-NMP

  • 2SB1143T

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 4 A 150MHz 1.5 W 通孔 TO-126ML

  • 2SB1143S

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 4 A 150MHz 1.5 W 通孔 TO-126ML

  • FGY75T95LQDT

    IGBT 沟槽型场截止 950 V 150 A 453 W 通孔 TO-247-3

  • FGH60N60SMD-F085

    IGBT 场截止 600 V 120 A 600 W 通孔 TO-247-3

  • FGA30N60LSDTU

    IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 480 W 通孔 TO-3P

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRF530A.

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：场效应管, MOSFET, N型
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：232

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详细参数

  • 通道类型N Channel
  • 漏源电压, Vds100V
  • 电流, Id 连续14A
  • 漏源接通状态电阻0.11ohm

其它信息

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