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MPSA06..相关型号
  • KSE44H11TU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 10 A 50MHz 1.67 W 通孔 TO-220-3

  • KSC5305DTU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 5 A 75 W 通孔 TO-220-3

  • MMBT5551_NL

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • BUD42DT4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 350 V 4 A 25 W 表面贴装型 DPAK

  • BD679G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 4 A 40 W 通孔 TO-126

  • EMD4DXV6T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563

  • NSBC144WPDP6T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 339mW 表面贴装型 SOT-963

  • NSBC143EPDP6T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 339mW 表面贴装型 SOT-963

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MPSA06..

  • 制造商:ONSEMI
  • 批号:最新的
  • 描述:单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:9785

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详细参数

  • 晶体管极性NPN
  • 最大集电极发射电压80V
  • 连续集电极电流500mA
  • 功率耗散625mW

其它信息

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