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MJD45H11TF...相关型号
  • FGAF20N60SMD

    IGBT 场截止 600 V 40 A 75 W 通孔 TO-3PF

  • FGA15S125P

    IGBT 沟道 1250 V 30 A 136 W 通孔 TO-3P

  • FGA20S125P

    IGBT 沟槽型场截止 1250 V 40 A 250 W 通孔 TO-3PN

  • FAN7389MX1

    半桥 栅极驱动器 IC 非反相 28-SOIC

  • FAN73893MX

    半桥 栅极驱动器 IC 反相 28-SOIC

  • FQP4N80

    通孔 N 通道 800 V 3.9A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3

  • FGA20S140P

    IGBT 沟槽型场截止 1400 V 40 A 272 W 通孔 TO-3PN

  • FDB5800

    表面贴装型 N 通道 60 V 14A(Ta),80A(Tc) 242W(Tc) D2PAK(TO-263)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MJD45H11TF...

  • 制造商:ONSEMI
  • 批号:最新的
  • 描述:单晶体管 双极, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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  • 晶体管极性PNP
  • 最大集电极发射电压80V
  • 连续集电极电流8A
  • 功率耗散20W

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