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QEE213相关型号

  • EMH2604-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4A，3A 1.2W 表面贴装型 8-EMH

  • NTLLD4901NFTWG

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 5.5A，6.3A 800mW，810mW 表面贴装型 8-WDFN（3x3）

  • 74VCX16821MTDX

    触发器 2 元件 D 型 10 位 正边沿 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74VCX16821MTD

    触发器 2 元件 D 型 10 位 正边沿 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74VCX162374MTD

    触发器 2 元件 D 型 8 位 正边沿 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74LVX74SJX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74LVX74SJ

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74LVTH374SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QEE213

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：红外（IR） 发射器 940nm 1.5V 100mA 2mW/sr @ 100mA 50° 径向，侧视图
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 类型红外（IR）
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）100mA
  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie)2mW/sr @ 100mA
  • 波长940nm
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）1.5V
  • 视角50°
  • 方向侧视图
  • 工作温度-40°C ~ 100°C（TA）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向，侧视图

其它信息

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