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NTBL045N065SC1相关型号

  • FDD8444L

    表面贴装型 N 通道 40 V 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA

  • FDS8817NZ

    表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

  • FDS8812NZ

    表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

  • FDMB668P

    表面贴装型 P 通道 20 V 6.1A（Ta） 1.9W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

  • FDFS6N548

    表面贴装型 N 通道 30 V 7A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC

  • FDFC2P100

    表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT?-6

  • FQPF10N60CF

    通孔 N 通道 600 V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3

  • FDPF7N50

    通孔 N 通道 500 V 7A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTBL045N065SC1

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1695

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详细参数

  • 技术SiC
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PSOF-8L
  • 晶体管极性N-Channel
  • 通道数量1 Channel
  • Vds-漏源极击穿电压650 V
  • Id-连续漏极电流73 A
  • Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压- 8 V, + 22 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压4.3 V
  • Qg-栅极电荷105 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 最大工作温度+ 175 C
  • Pd-功率耗散348 W
  • 通道模式Enhancement
  • 资格
  • 封装Reel, Cut Tape

其它信息

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