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NTBL045N065SC1相关型号

  • MM74HCT74MX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • NB7L111MMN

    时钟 扇出缓冲器（分配），多路复用器，数据 IC 2：10 5.5 GHz 52-VFQFN 裸露焊盘

  • NB6L11DTR2G

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB6L11DTR2

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB6L11DTG

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB100EP223FAG

    时钟 扇出缓冲器（分配），多路复用器 IC 2：22 500 MHz 64-LQFP 裸露焊盘

  • MC74HCT574ADTR2G

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • MM74HC273WMX

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTBL045N065SC1

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1695

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详细参数

  • 技术SiC
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PSOF-8L
  • 晶体管极性N-Channel
  • 通道数量1 Channel
  • Vds-漏源极击穿电压650 V
  • Id-连续漏极电流73 A
  • Rds On-漏源导通电阻50 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压- 8 V, + 22 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压4.3 V
  • Qg-栅极电荷105 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 最大工作温度+ 175 C
  • Pd-功率耗散348 W
  • 通道模式Enhancement
  • 资格
  • 封装Reel, Cut Tape

其它信息

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