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时钟扇出缓冲器（分配） IC 1：8 80 MHz 28-LCC（J 形引线）

时钟扇出缓冲器（分配） IC 1：8 80 MHz 28-LCC（J 形引线）

触发器 1 元件 D 型 4 位正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

表面贴装型 N 通道 40 V 12A（Ta），14A（Tc） 2.3W（Ta），30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）

表面贴装型 N 通道 60 V 10A（Ta），33A（Tc） 3.4W（Ta），36W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 1200V（1.2kV） 114A（Tc） 250W（Tj）底座安装

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 1200V（1.2kV） 114A（Tc） 250W（Tj）底座安装

MOSFET - 阵列 4 N 沟道（半桥） 1200V（1.2kV） 51A（Tc） 119W（Tj）底座安装 22-PIM（33.8x42.5）

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共源 1200V（1.2kV） 114A（Tc） 250W（Tj）底座安装

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.7A，2.9A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4.3A，3.4A 1W 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.3A，4.8A 1W 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3.5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3A，2.8A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3A，2.5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5.3A，4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 2.9A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.2A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC

ON(安森美)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的ON供应商