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FDC6301N..
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 220 mA, 5 ohm, SuperSOT, 表面安装
MMBFJ175LT1G.
晶体管, JFET, SOT-23封装
IRF530A.
场效应管, MOSFET, N型
FDN337N.
场效应管, MOSFET, N沟道 30V
BS170....
场效应管, MOSFET, N沟道
FQT5P10TF.
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 1A SOT-223
NTBG060N065SC1
碳化硅MOSFET, M2, 单, 46 A, 650 V, TO-263 (D2PAK)
NTH4L075N065SC1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
NTMFS4C908NAT1G
TRENCH 6 30V NCH.
NTBG022N120M3S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
NTBG025N065SC1
碳化硅MOSFET, M2, 单, 106 A, 650 V, TO-263 (D2PAK)
NTMFS4C906NBT1G
NTHL015N065SC1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
FQP30N06L.
晶体管, MOSFET
NVF6P02T3G.
场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -20V, SOT-223
HUF75645S3ST.
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
CAT24C02WI-GT3A.
EEPROM, 2 Kbit, 256 x 8位, 串行I2C (2-线), 400 kHz, SOIC, 8 引脚
CAT24C08WI-G.
芯片, 存储器, EEPROM, 8KB, 串行口, 400KHZ SOIC-8
FDC637AN..
FDT439N.
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.3A, SOT-223, 整卷
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深圳市芯幂科技有限公司
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