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FDC6301N..

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 220 mA, 5 ohm, SuperSOT, 表面安装

MMBFJ175LT1G.

晶体管, JFET, SOT-23封装

IRF530A.

场效应管, MOSFET, N型

FDN337N.

场效应管, MOSFET, N沟道 30V

BS170....

场效应管, MOSFET, N沟道

FQT5P10TF.

场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 1A SOT-223

NTBG060N065SC1

碳化硅MOSFET, M2, 单, 46 A, 650 V, TO-263 (D2PAK)

NTH4L075N065SC1

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247

NTMFS4C908NAT1G

TRENCH 6 30V NCH.

NTBG022N120M3S

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)

NTBG025N065SC1

碳化硅MOSFET, M2, 单, 106 A, 650 V, TO-263 (D2PAK)

NTMFS4C906NBT1G

TRENCH 6 30V NCH.

NTHL015N065SC1

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247

FQP30N06L.

晶体管, MOSFET

NVF6P02T3G.

场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -20V, SOT-223

HUF75645S3ST.

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA

CAT24C02WI-GT3A.

EEPROM, 2 Kbit, 256 x 8位, 串行I2C (2-线), 400 kHz, SOIC, 8 引脚

CAT24C08WI-G.

芯片, 存储器, EEPROM, 8KB, 串行口, 400KHZ SOIC-8

FDC637AN..

场效应管, MOSFET, N沟道

FDT439N.

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.3A, SOT-223, 整卷

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