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LC87F2G08AUSSOPTLM-E相关型号

  • FDS8984

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 7A 1.6W 表面贴装型 8-SOIC

  • NB3V1104CMTTBG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 250 MHz 8-WFDFN

  • FDC6312P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.3A 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

  • FDG6306P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 600mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • FDG6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • NTJD1155LT1G

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTJD4152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 880mA 272mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTZD3152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • LC87F2G08AUSSOPTLM-E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：- 微控制器 IC 8 位 12MHz 8KB（8K x 8） 闪存 24-MFPSJ
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，LC87F2G08AUSSOPTLM-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 核心处理器-
  • 内核规格8 位
  • 速度12MHz
  • 连接能力SIO，UART/USART
  • 外设LVD，POR，PWM，WDT
  • I/O 数19
  • 程序存储容量8KB（8K x 8）
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小256 x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.8V ~ 5.5V
  • 数据转换器A/D 8x12b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-SOP（0.236"，6.00mm 宽）
  • 供应商器件封装24-MFPSJ

其它信息

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