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FDD8870F085相关型号

  • FQE10N20CTU

    通孔 N 通道 200 V 4A（Tc） 12.8W（Tc） TO-126-3

  • FQE10N20LCTU

    通孔 N 通道 200 V 4A（Tc） 12.8W（Tc） TO-126-3

  • MC74HCT245ANG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

  • MC74HCT244ANG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-PDIP

  • MC74HC541ANG

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

  • MC74HC540ANG

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

  • MC74HC245ANG

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

  • MC74HC244ANG

    缓冲器，非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-PDIP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDD8870F085

  • 制造商：ONSEMI
  • 批号：最新的
  • 描述：Trans MOSFET N-CH 30V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • Drain Current (Max)21 A
  • Frequency (Max)Not Required MHz
  • Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
  • Output Power (Max)Not Required W
  • Power Dissipation160(W)
  • MountingSurface Mount
  • Noise FigureNot Required dB
  • Drain-Source On-Res0.0039(ohm)
  • Operating Temp Range-55C to 175C
  • Package TypeTO-252AA
  • PackagingTape and Reel
  • Pin Count2 +Tab
  • PolarityN
  • TypePower MOSFET
  • Number of Elements1
  • Operating Temperature ClassificationMilitary
  • Channel ModeEnhancement
  • Drain EfficiencyNot Required %
  • Drain-Source On-Volt30(V)
  • Power Gain Not Required dB
  • Rad HardenedNo
  • Continuous Drain Current21(A)

其它信息

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