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FODM291AR2相关型号

  • 74LCX74MTC

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • 74F273SC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • FW907-TL-E

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 10A，8A 2.5W 表面贴装型 8-SOP

  • FW906-TL-E

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 8A，6A 2.5W 表面贴装型 8-SOP

  • NVMFS4C01NWFT3G

    表面贴装型 N 通道 30 V 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta），161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • NVMFS5C410NAFT3G

    表面贴装型 N 通道 40 V 46A（Ta），300A（Tc） 3.9W（Ta），166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • MC74LVX541DTR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MC74VHCT541ADTRG

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FODM291AR2

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：光电晶体管 4SO TR T&R
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3000

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详细参数

  • 产品
  • 封装 / 箱体
  • 安装风格
  • 峰值波长
  • 开启状态集电极最大电流
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 集电极—射极击穿电压
  • 集电极—射极饱和电压
  • 暗电流
  • 上升时间
  • 下降时间
  • Pd-功率耗散
  • 最小工作温度
  • 最大工作温度
  • 系列FODM291
  • 资格

其它信息

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