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NTMTSC4D2N10GTXG相关型号

  • 2SD1835S-AA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 750 mW 通孔 3-NP

  • FGB3040G2-F085C

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  • 2SC5265LS-1HX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • NGTD13T65F2WP

    IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具

  • DTC124XM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • DTA114TM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • NCP5386BMNR2G

    - 控制器，Intel VR10，VR11，AMD CPU 稳压器 IC 2 输出 32-QFN（5x5）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTMTSC4D2N10GTXG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 21A（Ta），178A（Tc） 3.9W（Ta），267W（Tc） 8-TDFNW（8.3x8.4）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2615

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A（Ta），178A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.2 毫欧 @ 88A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 450μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）159 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）10450 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.9W（Ta），267W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装，可润湿侧翼
  • 供应商器件封装8-TDFNW（8.3x8.4）
  • 封装/外壳8-PowerTDFN

其它信息

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