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HGT1N40N60A4D相关型号

  • FDS8984

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 7A 1.6W 表面贴装型 8-SOIC

  • NB3V1104CMTTBG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 250 MHz 8-WFDFN

  • FDC6312P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.3A 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

  • FDG6306P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 600mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • FDG6304P

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）

  • NTJD1155LT1G

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTJD4152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 880mA 272mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • NTZD3152PT1G

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • HGT1N40N60A4D

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 模块 单路 600 V 110 A 298 W 底座安装 SOT-227B
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型-
  • 配置单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）110 A
  • 功率 - 最大值298 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.7V @ 15V，40A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）250 μA
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻无
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装SOT-227B

其它信息

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