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FDZ661PZ相关型号

  • FCD7N60TM-WS

    表面贴装型 N 通道 600 V 7A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA

  • NVMYS014N06CLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Ta），36A（Tc） 3.8W（Ta），37W（Tc） LFPAK4（5x6）

  • NVMYS025N06CLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 8.5A（Ta），21A（Tc） 3.8W（Ta），24W（Tc） LFPAK4（5x6）

  • NVMFS5C670NLWFAFT1G

    表面贴装型 N 通道 60 V 17A（Ta），71A（Tc） 61W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • NDB5060L

    表面贴装型 N 通道 60 V 26A（Tc） 68W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NTMFS6H801NT1G

    表面贴装型 N 通道 80 V 23A（Ta），157A（Tc） 3.8W（Ta），166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • NTMFS5C456NLT1G

    表面贴装型 N 通道 40 V 87A（Tc） 3.6W（Ta），55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • NVMFS4C05NT1G

    表面贴装型 N 通道 30 V 24.7A（Ta），116A（Tc） 3.61W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDZ661PZ

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 P 通道 20 V 2.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.8x0.8）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：6612

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）140 毫欧 @ 2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）8.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）555 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.3W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装4-WLCSP（0.8x0.8）
  • 封装/外壳4-XFBGA，WLCSP

其它信息

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