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BUT11相关型号
  • FQB6N60TM

    表面贴装型 N 通道 600 V 6.2A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQI32N20CTU

    通孔 N 通道 200 V 28A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQP32N12V2

    通孔 N 通道 120 V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3

  • HUFA75823D3ST

    表面贴装型 N 通道 150 V 14A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA

  • FQI19N20TU

    通孔 N 通道 200 V 19.4A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK(TO-262)

  • FQAF33N10

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • FQAF33N10L

    通孔 N 通道 100 V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF

  • 74VHC541N

    缓冲器,非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-PDIP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BUT11

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 5 A 100 W 通孔 TO-220-3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 散装
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)400 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1mA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)-
  • 功率 - 最大值100 W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • BUT11

其它信息

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