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NCV33174DTBR2G相关型号

  • NTHD3100CT1G.

    场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷

  • FDG6304P.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷

  • NTMD3P03R2G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

  • NTR4170NT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

  • NTJD1155LT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88

  • MMBF170LT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 500mA SOT-23

  • MMBFJ201....

    场效应管, JFET, N沟道, -40V, SOT-23

  • NTH4L020N090SC1.

    碳化硅场效应管, MOSFET 900V TO247-4L 20MΩ

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCV33174DTBR2G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：运算放大器 - 运放 Operational Amplifier, Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power, Quad
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2500

优势价格，NCV33174DTBR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 通道数量4 Channel
  • GBP-增益带宽产品1.8 MHz
  • SR - 转换速率2.1 V/us
  • Vos - 输入偏置电压2.5 mV
  • Ib - 输入偏流20 nA
  • 电源电压-最大44 V
  • 电源电压-最小3 V
  • 工作电源电流220 uA
  • 每个通道的输出电流
  • CMRR - 共模抑制比80 dB
  • en - 输入电压噪声密度32 nV/sqrt Hz
  • 封装 / 箱体TSSOP-14
  • 安装风格SMD/SMT
  • 关闭No Shutdown
  • 最小工作温度- 40 C
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 系列MC33174
  • 资格
  • 封装Reel

其它信息

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