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FDN372S相关型号

  • MM74HCT74MX

    触发器 2 元件 D 型 1 位 正边沿 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • NB7L111MMN

    时钟 扇出缓冲器（分配），多路复用器，数据 IC 2：10 5.5 GHz 52-VFQFN 裸露焊盘

  • NB6L11DTR2G

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB6L11DTR2

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB6L11DTG

    时钟 扇出缓冲器（分配），变换器 IC 1：2 6 GHz 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • NB100EP223FAG

    时钟 扇出缓冲器（分配），多路复用器 IC 2：22 500 MHz 64-LQFP 裸露焊盘

  • MC74HCT574ADTR2G

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • MM74HC273WMX

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDN372S

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）40 毫欧 @ 2.6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）8.1 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）630 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

其它信息

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