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SGS5N60RUFDTU相关型号

  • NGB18N40ACLBT4G

    NGB18N40ACLBT4G, IGBT Transistor, 18 A 430 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK

  • NCP6334BMTAATBGOS

    onsemi 升压/降压转换器

  • NCV4299AD250R2G

    ON Semiconductor 线性稳压器, NCV4系列, 输出5 V, SOIC封装, 最大输出150mA, 表面贴装

  • NCP700BMT18TBG

    ON Semiconductor 线性稳压器, 输出1.8 V, WDFN封装, 最大输出200mA, 表面贴装

  • LC06511F9BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F7AMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, -0.3 至 12.0 v, 6μA, X2DFN6封装

  • LC06511F3BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F6BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SGS5N60RUFDTU

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 600 V 8 A 35 W 通孔 TO-220F-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）8 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)15 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.8V @ 15V，5A
  • 功率 - 最大值35 W
  • 开关能量88μJ（开），107μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷16 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值13ns/34ns
  • 测试条件300V，5A，40 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)55 ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装TO-220F-3

其它信息

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