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2SB817C-1E相关型号

  • SGF23N60UFDTU

    IGBT 600 V 23 A 75 W 通孔 TO-3PF

  • SGW23N60UFDTM

    IGBT 600 V 23 A 100 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

  • SGP23N60UFDTU

    IGBT 600 V 23 A 100 W 通孔 TO-220-3

  • SGH15N60RUFTU

    IGBT 600 V 24 A 160 W 通孔 TO-3PN

  • SGS5N150UFTU

    IGBT 1500 V 10 A 50 W 通孔 TO-220F-3

  • MCH6541-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 30V 700mA 540MHZ，520MHz 550mW 表面贴装型 6-MCPH

  • FMB5551

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 160V 600mA 300MHz 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

  • FMB2227A

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 30V 500mA 250MHz 700mW 表面贴装型 SuperSOT?-6

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SB817C-1E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W 通孔 TO-3P-3L
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）12 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）140 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）2V @ 500mA，5A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100μA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 1A，5V
  • 功率 - 最大值120 W
  • 频率 - 跃迁10MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P-3L

其它信息

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