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MUN5236DW1T1G相关型号

  • BD13610STU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 1.5 A 1.25 W 通孔 TO-126-3

  • 2SB1201S-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 2 A 150MHz 800 mW 表面贴装型 TP-FA

  • NSS40501UW3T2G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 5 A 150MHz 875 mW 表面贴装型 3-WDFN（2x2）

  • MJD42CRLG

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  • KSP44BU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 300 mA 625 mW 通孔 TO-92-3

  • KSA708YBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 700 mA 50MHz 800 mW 通孔 TO-92-3

  • MJD31T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 3 A 3MHz 1.56 W 表面贴装型 DPAK

  • 2SA1418S-TD-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 160 V 700 mA 120MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MUN5236DW1T1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：7248

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 卷带（TR）
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)100 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)100 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）80 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 300μA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500nA
  • 频率 - 跃迁-
  • 功率 - 最大值250mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363
  • MUN5236

其它信息

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