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15C01M-TL-E相关型号

  • NTHD3100CT1G.

    场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷

  • FDG6304P.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷

  • NTMD3P03R2G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

  • NTR4170NT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷

  • NTJD1155LT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88

  • MMBF170LT1G.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 500mA SOT-23

  • MMBFJ201....

    场效应管, JFET, N沟道, -40V, SOT-23

  • NTH4L020N090SC1.

    碳化硅场效应管, MOSFET 900V TO247-4L 20MΩ

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 15C01M-TL-E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 15 V 700 mA 330MHz 300 mW 表面贴装型 SC-70 / MCP3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：385

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • -
  • 卷带（TR）
  • 在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）700 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）15 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）300 @ 10mA，2V
  • 功率 - 最大值300 mW
  • 频率 - 跃迁330MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70，SOT-323
  • 供应商器件封装SC-70 / MCP3
  • 15C01

其它信息

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