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HUF76633P3_F085相关型号

  • 74VCXH16374MTD

    触发器 2 元件 D 型 8 位 正边沿 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74VCX32374G

    触发器 4 元件 D 型 8 位 正边沿 96-LFBGA

  • 74VCX16721MTD

    触发器 1 元件 D 型 20 位 正边沿 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74VCX16374MTD

    触发器 2 元件 D 型 8 位 正边沿 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74VCX162374MTDX

    触发器 2 元件 D 型 8 位 正边沿 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）

  • 74LVX273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74LVT574SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • 74LVQ273QSC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-LSSOP（0.154"，3.90mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • HUF76633P3_F085

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：onsemi, UltraFET系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TO-220AB封装
  • PDF下载：
  • 库存数量：999999

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详细参数

  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流39 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型TO-220AB
  • 最大漏源电阻值35 mΩ
  • 安装类型通孔
  • 引脚数目3
  • 最大栅源电压-16 V、+16 V
  • 通道模式增强
  • 最大栅阈值电压3V
  • 最小栅阈值电压1V
  • 最大功率耗散145 W
  • 晶体管配置单
  • 类别-

其它信息

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