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IRFW530ATM相关型号

  • 2SD1835S-AA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 750 mW 通孔 3-NP

  • FGB3040G2-F085C

    IGBT 400 V 41 A 150 W 表面贴装型 D2PAK-3（TO-263-3）

  • FGPF50N30TTU

    IGBT 沟道 300 V 46.8 W 通孔 TO-220F-3

  • 2SC5265LS-1HX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • NGTD13T65F2WP

    IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具

  • DTC124XM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • DTA114TM3T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 260 mW 表面贴装型 SOT-723

  • NCP5386BMNR2G

    - 控制器，Intel VR10，VR11，AMD CPU 稳压器 IC 2 输出 32-QFN（5x5）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRFW530ATM

  • 制造商：onsemi(安森美)
  • 批号：最新的
  • 描述：
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  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 连续漏极电流(Id)14A
  • 功率(Pd)55W；3.8W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@7A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)790pF@25V
  • 工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

其它信息

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