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RFP45N06_NL相关型号

  • NXH400N100H4Q2F2SG

    IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK（93x47）

  • NXH450B100H4Q2F2PG

    IGBT 模块 2 个独立式 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM（93x47）

  • FCB125N65S3

    表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 181W（Tc） D2PAK-3（TO-263-3）

  • MSQC4411C

    显示器模块 - LED 字符与数字 绿色 7 段显示时钟 4 字符 共阳极 2.1V 20mA 0.508" 高 x 1.582" 宽 x 0.276" 直径（12.90mm x 40.18mm x 7.00mm） 16-DIP（0.400"，10.16mm）

  • FDP032N08B-F102

    通孔 N 通道 80 V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3

  • FCP165N60E

    通孔 N 通道 600 V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220-3

  • 5082-7760_LDE

    显示器模块 - LED 字符与数字 红色 7 段 1 字符 共阴极 1.6V 20mA 0.750" 高 x 0.500" 宽 x 0.250" 直径（19.05mm x 12.70mm x 6.35mm）

  • NTB011N15MC

    表面贴装型 N 通道 150 V 12.5A（Ta），75.4A（Tc） 3.75W（Ta），136.4W（Tc） D2PAK-3（TO-263-3）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • RFP45N06_NL

  • 制造商：onsemi(安森美)
  • 批号：最新的
  • 描述：
  • PDF下载：
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型N沟道
  • 漏源电压(Vdss)60V
  • 连续漏极电流(Id)45A
  • 功率(Pd)131W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@45A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@20V
  • 输入电容(Ciss@Vds)2.05nF@25V
  • 工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

其它信息

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