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NVMFS5C430NAFT1G相关型号

  • BZX85-C4V3

    单管二极管 齐纳, 4.3 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 引脚, 200 °C, 通孔安装

  • SB3100.

    肖特基整流器, 100 V, 3 A, 单, DO-201AD, 2 引脚, 850 mV

  • MBR150G..

    肖特基整流器, 50 V, 1 A, 单, DO-41 (DO-204AL), 2 引脚, 750 mV

  • BZX85-C24

    单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 引脚, 200 °C, 通孔安装

  • MBR20200CTTU.

    肖特基整流器, 200 V, 20 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 1 V

  • DF10S2.

    桥式整流器, 单相, 1 kV, 1.5 A, SDIP, 4 引脚, 1.1 V

  • BZX79-C24

    单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 引脚, 200 °C, 通孔安装

  • 1N4937.

    标准恢复二极管, 600 V, 1 A, 单, 1.2 V, 150 ns, 30 A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVMFS5C430NAFT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 40 V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta），106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1410

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A（Ta），185A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.7 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）47 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.8W（Ta），106W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线

其它信息

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